ST将ARM9E™处理器内核的处理能力带入通用闪存微控制器中，并加入了联网功能，
使实现各种要求苛刻的应用变得更加简单和廉价，为嵌入式系统
设计者带来了无限机会。
STR910F的MCU直接从其闪存执行代码时的最高速度可达96MIPS，还可在其ARM966E-S®
核内执行单周期的DSP指令。此外，它还搭载了以太网、USB
和CAN接口。这些特性，结合容量高达544KB的闪存以及96KB的SRAM，使得STR910F
成为在局域网或互联网上将嵌入式控制应用转换为低成本节点
的最佳单片解决方案。
主要特性
Ø 32位总线的96MHz ARM966E-S CPU核，带有单周期的DSP指令和与介质无关的联
网功能。
Ø 具有优化DMA数据流的10/100M以太网接口。
Ø 大容量SRAM和闪存。容量高达96KB的SRAM，544KB的双体闪存。SRAM或闪存都可
以用于指令或数据。
Ø 支持USB、CAN、SPI、I2C、UART/IrDA和多个计时器， 最多80个5V兼容的
。带有10位模拟转换的ADC以及具有全方位的CPU监控功能。GPIO
Ø 灵活的功耗和时钟管理功能，具有多种低功耗模式和带闹钟功能的低功。
(< 1µA)实时时钟
Ø 提供多样的固件支持和工具。ST免费提供STR910F基本设备程序库。STR910F器件
已得到许多第三方工具和RTOS厂商的支持。
主要优势
Ø 这一架构允许同时访问代码和数据，从闪存执行代码的最高速度可达96MIPS；
同时，在外设和SRAM之间能够实现高达384Mbps的DMA数据传输。
Ø 将您的产品与网络连接，并且保留充足的CPU带宽以实现嵌入式应用。
Ø 大容量存储器可满足复杂的应用、实时操作系统(RTOS)、通信协议栈和数据存储
的需求。双体闪存是实现在线编程(IAP)和EEPROM仿真的理想结构。
Ø 广泛的可连通性可满足您现在和未来的需求。高度集成性可以节省空间、降低成
本并解决生产的管理问题。
Ø 允许您在系统运行中动态配制，以在性能和功耗之间实现最佳平衡。
Ø 大大缩短开发时间，提高易用性。
哈佛结构、5级流水线、TCM存储器
96MHz 内部Flash运行
单周期DSP指令
兼容ARM7代码
双组32位 Burst Flash
256KB/512KB主Flash，32KB从Flash
支持内核96MHz工作频率
最少100K擦写周期，20年保存
32位宽度SRAM
64KB/96KB，可电池保持数据
通信
11个通信接口
10/100 MAC，MII接口
USB 2.0全速Slave接口
CAN 2.0接口
3个16550兼容UART，带红外协议
2个I2C接口（400KHz）
2个同步串口（SPI、SSI、Microwire兼容）
8/16位外部总线接口（128脚封装）
时钟、复位、电源管理
内部PLL、RTC、看门狗定时器
Sleep模式低至50uA
多达80个GPIO，
5V输入兼容
同一端口的位操作
向量中断控制器（VIC）
32个IRQ向量，30个中断引脚（可为快速中断）
分支Cache使中断延迟最小
8通道10位ADC（2us转换时间）
3相电机控制器
3对PWM输出
紧急停止、死区控制、环（tach）输入
9个可编程DMA通道
工作温度：-40至+85度
支持JTAG、TRACE、ISP
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